Plasmas micro-ondes
pour traitements chimiques (CVD et PACVD)

 

La CVD ou Chemical Vapor Deposition

La CVD est une technique de dépôt de couche mince à partir de réactifs gazeux.

Classiquement, le constituant à déposer est introduit dans le réacteur sous forme gazeuse.

La molécule porteuse est "cassée" par élévation de la température (de 800°C à plus de 1200°C).
L'assistance d'un plasma (CVD Assistée Plasmas ou PACVD) permet d'abaisser cette température entre 50°C et 350 °C.

Applications

La voie chimique est utilisée pour la gravure, le nettoyage, la passivation ou des dépôts.

Par exemple, le gaz SILANE de formule SiH4 est utilisé pour déposer du silicium Si.

Plasmas micro-ondes
pour traitements physiques (PVD)

 

Le traitement par Physical Vapor Deposition

Les techniques micro-ondes sont applicables à des méthodes de dépôt par voie physique PVD (Physical Vapor Deposition).

Un matériau cible, à l’état solide, est vaporisé à l’aide d’ions énergétiques contenus dans le plasma basse pression, puis transféré sur le substrat où il se dépose en «se condensant». 
Ces techniques de Dépôt Physique en Phase Vapeur (PVD) permettent de déposer des couches minces de différentes natures (métaux, alliages, oxydes, nitrures, semi-conducteurs…).

Avantages de l'usage des plasmas

• La qualité et la densité de couches sont améliorées,

• Des alimentations continues remplacent les alimentations radiofréquence contraignantes,

• Les cibles de pulvérisation s'usent uniformément.